三星發表 4GB DDR4 之 Mobile DRAM
圖片來源： Samsung Tomorrow
目前三星在行動設備用的 DRAM 進展還是處於前段班，而三星官方部落格 Samsung Tomorrow 也趕在今年結束前發表新進度：針對手持設備用的 4GB LPDDR4 ，這款新的記憶體使用 20nm 級製程（官網備註介於 20nm-30nm 之間），僅需 1.1V 的工作電壓，傳輸效能達 3,200Mbps ，比目前 LPDDR3 與 DDR3 高出 50% ，預計 2014 年推出。
此款全新的高速低功耗記憶體預計將會用在手機、平板上，也可望提供下一代運算級行動設備提供更高容量與高效能的記憶體，加上三星已經宣示將於明年發表 64bit 架構的處理器，看來三星半導體部門明年來勢洶洶阿...
新聞來源： Samsung Tomorrow , GSMArena
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