SANDISK 採用19奈米高階製程技術 推出iNAND Extreme™高容量、高效能嵌入式記憶體

201265,台灣,台北國際電腦展)全球快閃記憶儲存解決方案領導廠商 SanDisk (NASDAQ: SNDK) 今日宣布以世界最先進晶片製程技術,推出最高效能嵌入式記憶體產品。

新產品 SanDisk iNAND Extreme™採用19 奈米製程*,為高容量、高效能嵌入式快閃記憶解決方案,適用於高階平板電腦與智慧型手機。裝置如搭載包括Android,或即將推出的Windows 8 (Microsoft Windows® RT Version) 等作業系統,皆可受惠於iNAND Extreme在容量、效能及小尺寸上的優勢。

iNAND Extreme 嵌入式快閃記憶體可大幅提昇多工作業、網路瀏覽,檔案傳輸及影像擷取的效能表現,為平板電腦或智慧型手機的使用者,創造更愉快的使用體驗。SanDisk iNAND Extreme 提供 16GB 128GB 容量選擇**。其中,128GB 記憶體容量足以儲存多部高畫質電影與數千筆音樂及照片。

19奈米,即iNAND Extreme在設計電路時所採用的製程技術,是極為精細的尺寸。舉例來說,若一張紙的寬度為0.1mm100,000nm,其邊緣將可容納相當於超過5,00019nm大小的物件。

被評為高階平板電腦及搭載最新作業系統的行動裝置等所適用之高效能儲存方案,iNAND Extreme將為NVIDIA® 3 4-Plus-1™ 四核心架構處理器之參考設計。

NVIDIA公司筆記型電腦事業部總經理Rene Haas表示:「SanDisk解決方案是我們在展現Tegra 3性能上的重要助力。Tegra能廣泛地為各種行動裝置帶來最佳的效能與電池續航力,而iNAND Extreme高效能記憶儲存方案,即是在協助平板電腦及行動裝置相關製造商,創造世界級的使用者體驗。」

SanDisk OEM 資深副總裁兼總經理 Dan Inbar 指出:「SanDisk 的技術與專業製造能力能為 OEM 客戶實現高容量儲存與系統效能,進而帶給消費者實質效益。同時,我們也和軟體領導廠商合作,針對下一代作業系統、檔案系統與使用方式,優化我們的儲存方案;這也使SanDisk更有能力協助行動產品製造商,開發出具備優異使用體驗的產品。」

SanDisk 128GB iNAND Extreme 12mm x 16mm 封裝,具備高度競爭優勢,且符合新版 e.MMC™ 4.5 規格,最快可達每秒 45MB 連續寫入與每秒 100 MB 連續讀取速度***。新一代 iNAND Extreme 隨機寫入效能超越先前產品兩倍以上,同時大幅增進隨機讀取效能***;可完美整合於現今乃至未來數代的平板和智慧手機使用之檔案系統。最新版之 iNAND Extreme 將於本月送樣至客戶端,相關產品預計將於今年夏天全面推出。

SanDisk iNAND 產品系列之嵌入式儲存方案可滿足各種行動市場效能區隔與容量需求。SanDisk iNAND™ 系列包括 iNAND™iNAND Ultra™ iNAND Extreme 產品等。

 

 

 

 

關於 SanDisk

SanDisk公司(NASDAQ: SNDK) 是全球快閃記憶體儲存解決方案領導廠商,從研發、產品設計與製造,到品牌經營、配銷至OEM廠商與零售通路。自1988年起,SanDisk在快閃記憶體與儲存系統技術上的創新,帶給客戶新穎和全然不同的數位經驗。SanDisk多樣化的產品組合包括:供智慧型手機、平板電腦、數位相機與錄放影機、及其他消費性電子產品用之快閃記憶卡與嵌入式解決方案,亦包括USB隨身碟與SSD固態硬碟。SanDisk不僅提供產品給全球一般的消費者,也包括各地的企業客戶。

SanDisk總部設於美國矽谷,為S&P 500及財星500強企業,其一半以上的營業額來自美國以外市場。欲知更多訊息,請瀏覽:www.sandisk.com

 

*1 nm = 1-9 m

**gigabyte (GB) = 1 billion bytes

***此為內部測試結果;實際效能可能因為終端裝置(host device)而較低。1MB = 1百萬位元組

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