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日期:2024-09-14
互補式金屬氧化物半導體(英語:Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS,簡稱互補式金氧半)是一種積體電路製程,可在矽晶圓上製作出PMOS(P-channel MOSFET)和NMOS(N-channel MOSFET)元件,由於PMOS與NMOS在特性上為互補性 ......
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日期:2024-09-19
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CMOS,簡稱互補式金氧半)是一種積體電路 ......
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日期:2024-09-14
3-2.3 開關電流比定義 (On/Off ratio)……………….……..…….27 3-2.4 載子移動率定義 .....….….28 3-3 O-CMOS基本架構與操作 ...….……29 3-3.1轉換曲線與雜訊邊限(Transfer voltage and Noise margin) ...29 3-3.2靜態 ......
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日期:2024-09-19
互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點, ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極(gate ..... 取自“http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=互補式金屬氧化物半導體&oldid=30662626”....
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日期:2024-09-15
互補式金屬氧化物半導體(簡稱互補式金氧半;英语:Complementary Metal- Oxide- Semiconductor ......
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日期:2024-09-18
National Nano Device Laboratories ... 先進 互補式金屬氧化物半導體元件技術發展 隨著科技日新月異, 半導體 ......
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日期:2024-09-15
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日期:2024-09-12
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