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日期:2024-04-23
電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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日期:2024-04-30
場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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日期:2024-04-24
p 덱륄JFET ꑵ 귬뉺 n덱륄곛 ꅁ 걏덱륄걏 p 뻉엩 ꅁ뻉 덱껉녡 륱 륱걽 랽랥롧덱륄걹ꑊ 랥ꅁ륱걹 ꅁ랽랥륱 뚷룻 랥 결낪ꅃ놱 륨랥걏 n+뻉엩 ꅁ굮녎덱륄 륨랥 뚷 ꑗ 냷...
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日期:2024-04-29
接面 場效應 電晶體的工作 原理(以N-JFET 為例): 高級中學物理(下冊) 第八章 電子學 8-4 : 場效電晶體 P15 3. 接面 場效應 電晶體的輸出特性曲線 ......
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日期:2024-04-24
2 比較 載子 雙載子 單載子 (場:電場) 漂移電流 主要為擴散電流 (射極發射) 電流 場效電晶體 FET 雙載子接面電晶體 BJT...
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日期:2024-04-30
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電 ... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,....
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日期:2024-04-28
電子工程專輯提供相關 場效應電晶體技術文章及相關 場效應電晶體新聞趨勢,及更新最新相關 場效應電晶體電子產品 ......