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        43 Copyright 2009 ITRI 工業技術研究院 Beam Uniformity † 所有的百分比為±5% 最高峒強度位峹55 - 65 區區區區(垂直), 符峯下峚需求: 0 - 25 區佔最高峒強度的區佔最高峒強度的10% - 35% † 25 - 45 區佔最高峒強度的區佔最高峒強度的35% - 60%
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      • temiac.ee.ntu.edu.tw
        設計上,尤其是垂直方向的互連,有很大的研究空間值得去探討。 13. IPD CMOS / LTCC Flip-Chip CMOS 因為CMOS的元件損耗較大Q值較低,Integrated Passive Device (IPD) CMOS 製程已開發成熟,適合用來實現高Q值低損耗的濾波器,尤其在較高的微波或毫
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    日期:2025-05-04
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    日期:2025-05-08
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