search:接面場效電晶體相關網頁資料

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        金屬氧化物半導體場效電晶體 (簡稱: 金氧半場效電晶體 ; 英語 : Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , 縮寫 : MOSFET ),是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為 ...
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        電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2.
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    日期:2024-04-16
    場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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    日期:2024-04-20
    Lab12. 場效電晶體之特性 電子電路實驗 * 一、實驗目的 了解場效電晶體的正確偏壓方式及動作原理,並能繪出 之特性曲線。 二、原理說明 場效電晶體(FET)分為兩大類,即接面場效電晶體(JFET)及金氧半場效電晶體(MOSFET),其成員可利用下面樹狀結構 ......
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    日期:2024-04-18
    場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳,不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G ......
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    日期:2024-04-18
    場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳,不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G ......
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    日期:2024-04-21
    金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功,這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ......
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    日期:2024-04-19
    控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor ... 對MOSFET 而言,不管是N 通道或是P 通道,其工作原理相同,但. 是傳導載子不同, ......
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    日期:2024-04-16
    圖8-1 常見電晶體的分類. 3. 8-1 ... 圖8-4 N通道增強型MOSFET的工作原理. 6. 8-1 .... 8-3. 接面場效電晶體之特性與偏壓. 2.JFET之工作模式與特性曲線. 1.工作原理....
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    日期:2024-04-20
    接面 場效應 電晶體的工作 原理(以N-JFET 為例): 高級中學物理(下冊) 第八章 電子學 8-4 : 場效電晶體 P15 3. 接面 場效應 電晶體的輸出特性曲線 ......