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transene.comAl ALUMINUM ETCHANTS TYPE A TYPE D TYPE F @25 C @ 40 C 30 Å/sec 80 Å/sec 40 Å/sec 125 Å/sec 30 Å/sec 80 Å/sec Negative & Positive Semiconductor & Integrated Circuits GaAs & GaP Devices AlSi Materials Al 2 O 3 TRANSETCH N 120 Å ...瀏覽：953
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日期：2025-11-06
2012年8月14日 ... 細野2004年11月在著名學術期刊《Nature》上發表了題為“室溫下製作的高柔性透明
非晶氧化物半導體TFT”的論文，以非晶氧化物半導體——IGZO ......
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日期：2025-11-10
台日韓面板廠在Oxide TFT技術的研發腳步愈來愈快，不僅已突破材料與薄膜製程等
技術 ... 另外，透明氧化物半導體(Transparent Oxide Semiconductor)的研究亦 ......
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日期：2025-11-07
2011年8月24日 ... 日本科學技術振興機構（JST）2011年7月與南韓三星電子就使用氧化物半導體的「
IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT」技術專利簽署了授權協議。該技術基於東京 ......
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日期：2025-11-07
2010年1月28日 ... 在透明非結晶氧化物半導體國際會議「TAOS 2010」首日于主題演講會之後舉行的「
FPD I」研討會上，代表日本和南韓的3家FPD企業分別發佈了透明 ......
![[新聞] 氧化物半導體TFT專利授權給三星，日企判斷失誤- [PPT 短網址 ...](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_08.jpeg)
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日期：2025-11-07
2011年8月24日 ... 該技術基於東京工業大學應用陶瓷研究所教授細野秀雄的研究小組1995年開始開發
的「透明氧化物半導體（TAOS）」（圖1）。 IGZO TFT是實現具有超 ......
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日期：2025-11-13
雖然夏普的氧化物半導體TFT LCD面板並不像AMOLED 面板般輕薄，但生產成本卻
可以控制在與一般TFT LCD相近的程度，且未來大尺寸OLED 面板也會採用氧化物 ......
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日期：2025-11-08
2013年6月19日 ... IGZO是由銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）和氧（O）構成的氧化物半導體In-Ga-Zn-O的簡稱。
夏普於2012年4月在業界率先開始全面量產采用IGZO TFT（ ......
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日期：2025-11-09
作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体
TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及电子纸等新
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