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日期：2024-04-17
活性離子蝕刻設備 ‧ 法國阿爾卡特高密度電漿深蝕刻機 ‧ 去殘膠電漿系統 LCM電漿清洗機 ‧ 電漿清潔及表面改質系統 真空晶圓壓膜機 ‧ 真空晶圓壓膜機 ......
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日期：2024-04-18
電漿基礎原理. 2. 電漿的成分. • 電漿是由中性原子或分子、電子(-）和正電離. 子所構成 ... 非常活潑. • 增進化學反應速率. • 對蝕刻製程和CVD來說非常重要. 8. 電漿 蝕刻....
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日期：2024-04-21
在實際操作上為了提高清潔效果必需提高電漿系統的壓力。 圖2-2：大氣電漿示意 2-2 大氣電漿設備原理[2] 氧氣經由電漿解離，會產生大量的自由基粒子(如下式)，這些 ......
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日期：2024-04-21
奈米球之乾式蝕刻. 實驗目的‖實驗器材‖實驗原理‖實驗方法及步驟‖實驗結果.
一.實驗目的：氧電漿如何蝕刻有機材料....
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日期：2024-04-22
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日期：2024-04-15
版大你好 我的車是寶騰 GEN2 有改頭段 目前問題是引擎故障燈亮起 想請問一下 按照上述說明 引擎蓋打開有一個O2 然後我要墊高的是車子架高後 如影片所示鎖在頭段那邊那個O2 ......
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日期：2024-04-18
聚二甲基矽氧烷 （Poly（Dimethylsiloxane） 台北市立第一女子高級中學二年級周君穎/台北市立第一女子高級中學化學科詹莉芬老師修改/國立台灣師範大學化學系葉名倉教授責任編輯 簡介 聚二甲基矽氧烷即poly（dimethylsiloxane），簡寫為PDMS，密度為965 kg/m 3 ......
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日期：2024-04-16
9 CVD應用 薄膜 源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷；DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷；TCS) SiCl 4 (四氯矽烷；Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ......
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