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![姓名 學號 下課時交給我]()
ezphysics.nchu.edu.tw姓名: 學號: 下課時交給我 應用電子學 Workout Sheet 7-1 2012/06/11 1. ㄧ個n-MOSFET 閘極剛加少量正電偏壓時， ...瀏覽：495 -
![PN二極體的空乏區是如何產生? - Yahoo!奇摩知識+]()
tw.knowledge.yahoo.comPN二極體之空乏區是如何產生的有圖片介紹尤佳(無亦可)請詳述~ ... 表上ⅢⅣⅤ族元素的關係；(b)弄清原子、離子、原子序、原子核、共價鍵的定義；(c)何謂intrinsic瀏覽：742
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日期：2025-05-21
首先要確認空乏區的定義與形成的原因, 你可以先談一下尚未加上偏壓前PN 接合面如何形成空乏區原因為何？ 空乏區又是如何定義了！...
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日期：2025-05-22
定義ϕFn. 與ϕFp. 電位的大小，可知. ❖n型區中，傳導帶上的電子濃度可表示為 ... 以定義n型區的電位ϕFn. 為 ... 空乏區或空間電荷區的總寬度W為上述兩個寬度....
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日期：2025-05-22
二極體，其電場、電位和空乏區寬度之公式推導；第三章先介紹等效電路的建立 .... 我們要了解，如何定義空乏區的寬度，在理論上我們可以用電場對位置作圖、也....
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日期：2025-05-19
根據靜電學，電子將作與外加電場相反方向的運動，並產生電流（根據傳統定義，電流的方向與電子 ... 空乏區的電場與電子與電洞的擴散過程相反，阻礙進一步擴散。...
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日期：2025-05-18
高中是說因為是受外加"電場"的影響，符合飄移電流定義，是飄移電流: 大學是說流的是 ... (只有空乏區有電場) : 另有沒有擴散電流飄移電流的影片?...
![[討論] MOS空乏區厚度- 看板Electronics - 批踢踢實業坊](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_07.jpeg)
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日期：2025-05-19
請問一下我看了施敏第四章之後(p-n接面) 空乏區主要定義是載子(電子或電洞)電流密度=0的區域那其主要目的是甚麼? 另外，當MOS外接順向偏壓 ......
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日期：2025-05-19
內建位勢障（Built-in potential）（續）. 在P型區定義：. 在N型區定義：. 所以np兩區所形成的電位差為. 4.3.2 空間電荷. 一般矽和砷化鎵的過渡區遠小於空乏區，故可忽略。...
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日期：2025-05-22
首先要確認空乏區的定義與形成的原因, 你可以先談一下尚未加上偏壓前PN 接合面如何形成空乏區原因為何？ 空乏區又是如何定義了！ 然後再討論加上偏壓後的 ......
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