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![場效應管 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org標準電壓下的空乏型場效應管。從左到右依次依次為：接面場效電晶體，多晶矽金屬—氧化物—半導體場效應管，雙閘極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬閘極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬半導體場效應管。瀏覽：320 -
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zh.wikipedia.org金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ...瀏覽：820
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2. 1.3 了解薄膜電晶體. – TFT 結構與操作原理. • 非晶矽型TFT 構造：. ◎ 閘極(Gate) 、源極(Source) 與汲極(Drain) 。 ◎ 主要結構是一層非晶矽半導體薄膜。其與閘極 ......
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摘要：本文探討有機薄膜電晶體材料近期發展概況並研究苯駢咪唑衍生物之合成、
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