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![調整光功率衰減 解說高技術層次之可調式光衰減器 - 封面故事 - 新通訊元件雜誌]()
www.2cm.com.tw... 大小，改變E-O物質本身的折射率，進而改變通過E-O物質的光功率值，達到光功率衰減變化的目的。 ... 級的線寬圖形定義製作，以及良好的膜厚控制能力，是製程上首要的考量。愈小的線寬製作能力，可縮短條板之間隙(Inter-ribbon gap) ...瀏覽：1322
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日期：2024-05-11
CMOS製程推向主流 評比RF製程技術並提供晶片設計方向 新通訊 2005 年 11 月號 57 期《 封面故事 》 文．李冠樺 隨著20世紀末行動電話與無線網路快速成長，整個射頻(Radio Frequency, RF)IC應用領域亦擴散至大眾消費市場。...
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日期：2024-05-11
編號 論文名 作者 畢業年 1 CMOS光纖通訊之雷射驅動電路及接收前端整合設計 陳偉傑 2000 2 無線通訊之單晶片CMOS低雜訊放大器設計 方勝鴻 2000 3 多孔矽製程應用在矽基晶片上高頻電感器之研究 傅煥仁 2000 4 10位元，20MHz取樣頻率之CMOS脈管式類比 ......
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日期：2024-05-05
2011年2月2日 ... IEEE microwave magazine. February 2011. 38. 下一代CMOS. 射頻功率放大器. Ali
Hajimiri. 十年前，人們普遍接受的傳統觀點是，採用標准互補金....
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μm pHEMT 製程設計3.5 GHz 線性化功率放大器，利用共閘級電晶體動態調整功率
放大 ... dB、29 dBm、31 %。0.18 μm CMOS 製程設計2.4 GHz 線性化功率放大器，....
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日期：2024-05-08
RFaxis推出CMOS大功率2.4GHz功率放大器. 2014/07/18-張琳一. 專注於為無線
連接和蜂窩行動市場開發創新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體 ......
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功率放大器：. 矽基CMOS將慢慢地削弱. 砷化鎵的窮追不捨. 在國際化合物半導體
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日期：2024-05-07
用於功率放大器的互補式金氧半場效晶體測試元件(一). CMOS testkey for Power
Amplifier I. IC 編號：U18-93A/07t. 指導教授：陳怡然台灣大學電子工程研究所助理 ......
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