search:fet電晶體相關網頁資料

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        電晶體 ( 英語 : transistor )是一種 固體 半導體器件 ,可以用於 放大 、 開關 、穩壓、訊號調變和許多其他功能。在 1947年 ,由 約翰·巴丁 、 沃爾特·布喇頓 和 威廉·肖克利 所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體;肖克利則是發明PN二極體 ...
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      • www.semicon.toshiba.com.tw
        用於交換式電源供應器的800V雙極型電晶體:TTC014 直流增益率(h FE )和阻斷電壓之間存在著典型的權衡性。但是通過採用最新的精细圖形技術,我們可同時實現高集極射極電壓(V CEO =800V)和高直流電流增益 (h FE =100最小值) ...
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    日期:2024-04-25
    標準電壓下的空乏型場效應管。從左到右依次依次為:接面場效電晶體,多晶矽金屬—氧化物—半導體場效應管,雙閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬半導體場效應管。...
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    日期:2024-04-27
    電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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    日期:2024-04-21
    所以又稱為雙極性電晶體。而接著要說明的場效電晶體 只用一種載體作電流之傳導,所以稱為單極性電晶體。如載體為電洞者,稱為P通道場效電晶體;如載體為電子者,稱為N通道場效電晶體 ......
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    日期:2024-04-21
    場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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    日期:2024-04-28
    平時測驗 場效電晶體 1. 下列那一種元件是單靠一種載子來傳送電流? (A)FET (B)雙極性電晶體 (C)二極體 (D)SCR。 2. N通道增強型MOSFET欲使之導通,則閘極源極間電壓(V GS)應加何種偏壓? (A)0V (B)負電壓 (C)小於臨界電壓(VT)之正電壓 (D)大於臨界電壓(V T ......
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    日期:2024-04-23
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    日期:2024-04-27
    場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳,不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G ......
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    日期:2024-04-26
    金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功,這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ......