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www.digitimes.com.twX3(3-bit-per-cell)架構的TLC晶片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個記憶體儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術接棒後，架構演進為1個記憶體儲存單元存放2瀏覽：811 -
![SLC、MLC和TLC三者的區别 - 封裝設計 - 半導體技術天地 晶片,集成電路,設計,版圖,製造,工藝,製程,封裝,測試,wafer ...]()
www.2ic.cnSLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架構的TLC晶片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level.瀏覽：1302
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日期：2025-04-30
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫 ......
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日期：2025-04-27
最近一直在看大家在討論sandisk，pny，金士頓等大廠都開始用tlc的晶片問題，讓大家基本都不敢用U盤存數據了按照之前的擦寫參數TLC 1000次MLC 10000次SLC 4萬-10萬次（這個也是前幾天看論壇才知道不同製程的slc擦寫次數不一樣 ......
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日期：2025-05-04
SLC、eSLC、MLC、eMLC的區别 作為SSD主要元件的NAND快閃記憶體，我們經常見到的有SLC和MLC兩種，甚至還細分出eSLC和eMLC等等，現在我們談一下他們之間的區别。 SLC全稱single-level cell，即單階存儲單元；MLC全稱Multi-level cell，即多階存儲 ......
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日期：2025-05-03
SSHD簡介Seagate 的SSHD乃Solid State Hybrid Drive之意，一般... ... 老柑仔 wrote: 看這厚度應該是單碟1TB 電路板背面除了馬達控制與主控晶片外，還多了一顆K9LCGY8S1B-HCK0 8GB MLC顆粒...
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日期：2025-05-03
2013年2月9日 ... 談SLC & MLC 之前我們得先了解一下NAND-Flash 的存儲原理，下圖就是固態硬碟
最小單元的基本架構：....
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日期：2025-04-28
2012年9月20日 ... ... 晶片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-
Level Cell)，原理是在1 ......
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日期：2025-05-03
MLC是英特爾(Intel)在1997年9月最先開發成功，其作用是將兩個單位的信息存入1
個Floating Gate(Flash ......
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日期：2025-04-27
... 是MLC和TLC技術的延伸， 最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level
Cell)， 原理是在1個記憶 ......
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