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  金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
  
  2024-04-18
  
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  場效應管 - 維基百科，自由的百科全書
  
  標準電壓下的空乏型場效應管。從左到右依次依次為：接面場效電晶體，多晶矽金屬—氧化物—半導體場效應管，雙閘極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬閘極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬半導體場效應管。
  
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日期：2024-04-18

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電晶體是什麼？: 徹底瞭解！MOSFET應用文件 | 電子小百科 - Electronics Trivia | 羅姆半導體集團 - ROHM Co., Ltd.

日期：2024-04-20

徹底瞭解！電晶體-MOSFET應用文件 ... I D-V GS 特性與溫度特性圖1和2所示為I D-V GS 特性與閥值溫度特性之實測範例。圖1和2所示為ID-VGS特性與閥值溫度特性之實測範例。...

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MOSFETꪺ뻞Ꝁ귬뉺 - ::: 歡迎光臨中興大學物理系，請選擇你所要前往的網站 :::

日期：2024-04-24

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博客來-半導體元件物理學(上冊)

日期：2024-04-21

這本經典的書籍在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應 ......

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Field Effect Transistor 場效電晶體

日期：2024-04-18

2 比較載子雙載子單載子（場：電場）漂移電流主要為擴散電流 (射極發射) 電流場效電晶體 FET 雙載子接面電晶體 BJT...

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - III-V族與鍺期望能幫助CMOS發展 - Semicondutor Magazine

日期：2024-04-19

3>縮小矽互補式金屬氧化層半導體(silicon Metal-Oxide-Semiconductor，silicon CMOS)節點越來越困難。然而，III-V族及鍺(Ge)材料的金屬氧化層半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)能提升n型(n-type)及p型(p-type...

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材料世界網:32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破

日期：2024-04-24

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破 2007/12/24 [ 友善列印 | 推薦好友 ] 在2007 Symposium on VLSI Technology有關高介電常數絕緣膜/金屬閘極(high-k/metal gate)議程的會場上，Intel和IBM公司以「電晶體(transistor)歷史中最大的 ......

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