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![金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...瀏覽：1438 -
![MOSFET的操作原理]()
ezphysics.nchu.edu.twMOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量. 的這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶. 大量的數據。由於MOSFET ...瀏覽：1386
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日期：2024-04-22
功率 場效應 晶體管 MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的 ......
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日期：2024-04-18
依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場
效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制
......
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日期：2024-04-19
一種由電阻和電晶體組合的邏輯電路，判斷邏輯準位的方式是以輸入端迴路電流特性而定，當輸入的電壓VI低於電晶體導通電壓時，就沒有導通電流IB，電晶體C-E間成 ......
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日期：2024-04-22
MOSFET當開關時， 若是NMOS，只要G接正電壓，S接地就 .... 開官一端浮接那通
不通有啥影響呀天才一ㄍ....
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日期：2024-04-18
各種數位邏輯積體電路簡介 RTL電路 一種由電阻和電晶體組合的邏輯電路，判斷邏輯準位的方式是以輸入端迴路電流特性而定，當輸入的電壓V I 低於電晶體導通電壓時，就沒有導通電流I B，電晶體C-E間成開路狀態(截止)，若輸入的電壓V i 高於電晶體導通電 ......
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日期：2024-04-21
（轉貼）MOS 驅動 IC 原理 簡述及設計注意點 [複製鏈接] py924 I/O晶片 加分 2363 貢獻 0 金錢 0 元 好文 1192 ... 3、 由於MOSFET的結電容（可見MOSFET管的數據手冊的相關數據：C、Q等）比較大，為了保護MOSFET的開關速度，施加在柵 ......
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日期：2024-04-22
MOS元件原理及參數介紹 MOS製程可以分成以下三種：pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單，所以被應用的最早。其是利用電洞來導電，所以速度會變得較慢。 (二) nMOS則是利用電子來做傳導的工作，因為電子的漂移速度約為電洞的 ......
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