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日期:2025-05-27
金屬氧化物半導體場效電晶體 (簡稱: 金氧半場效電晶體 ; 英語 : Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , 縮寫 : MOSFET ),是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為 ......
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日期:2025-05-27
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容(接到輸出端的汲極區域)及其他寄生電容與 ... = Cgs + Cgb + Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式,不同偏壓下,整個電容效應值就會有差異;然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......
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日期:2025-05-20
首先探討造成MOS溫度上升的原因,無論開關元件是使用雙載子電晶體(Bipolar Transistor)、MOSFET或是絕緣閘雙極性電晶體(IGBT),造成開關元件溫度上升的原因就是開關元件上所消耗的功率,而總消耗的功率損失,可以下式表示:...
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日期:2025-05-25
金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数的N通道型
與空穴占多数的P通道型,通常被稱為N型金氧半場效電晶體(NMOSFET)與P型金 ......
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日期:2025-05-22
電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件,他的主要功能是做電流的開. 關,就
如同控制 ... 依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,....
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日期:2025-05-26
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数 ......
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日期:2025-05-27
“電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目: 基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。 計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。 由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ......
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日期:2025-05-23
的心臟是一個稱為MOS 電容 的金屬-氧化物-半導體結構。當在 MOS 電容上外加一個電壓時,在半導體之中接近氧化物-半導體界 ... 2-1表面電位概說及計算.....22 2-2 臨限電壓的求得.....24 2-3表面電位相關推導 ......