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  金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
  
  2024-05-25
  
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  關於MOSFET當開關使用- Yahoo!奇摩知識+
  
  MOSFET當開關時，若是NMOS，只要G接正電壓，S接地就 .... 開官一端浮接那通不通有啥影響呀天才一ㄍ.
  
  2024-05-20
  
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絕緣閘雙極電晶體 - 維基百科，自由的百科全書

日期：2024-05-21

構造 [編輯] 這種電晶體結合了金屬氧化物半導體場效應電晶體（ MOSFET ）的高電流單柵控制特性及雙極性電晶體的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件裡，會透過把一個隔離的場效應電晶體（FET）結合，作為其控制輸入，並以雙極性電晶體作開關。...

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MOSFET的操作原理

日期：2024-05-23

MOSFET的操作原理 p n+ ... MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦 ... 結構類似電容，閘極的金屬導體會堆積一些正電荷，而在氧化物絕. 緣層另 ......

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取代舊式功率元件特定應用MOSFET效率更高 - 學技術 - 新電子科技雜誌

日期：2024-05-26

圖3則顯示採用Ultra FRFET時，相較於標準的UniFET II MOSFET，約可減少75%的導通損耗；同時也減少導通延遲時間、電流和電壓振鈴，並消除串聯蕭特基二極體的傳導損耗。不僅如此，UniFET II還降低COSS，優化開關效率。...

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中壓 MOSFET 的重要參數對二次側同步整流電路設計的影響

日期：2024-05-25

中壓MOSFET的重要參數對二次側同步整流電路設計的影響作者：Allan Chiu， FAE Manager 1. 序言當輸出電流(output current)較高時，為了提高整體效率(overall efficiency) ，功率密度(power density)及降低元件溫度(component temperature)，中壓(medium ......

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Duty Cycle 在DC/DC Converter 上之定義及解釋【詹姆士類比網】

日期：2024-05-25

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