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日期:2024-04-22
場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳,不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G ......
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日期:2024-04-23
20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章:場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET)特性。8-4場效電晶體應用」。 ... 本教材部分圖文取材自旗立資訊電子學II,書號15156,謹此誌謝。 學習單下載:20090406_e_ch08_dash_3_to_ch08_dash_4 ......
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日期:2024-04-17
本文旨在透過介紹汽車電子元件 EMI抗擾性 測試的各種 方法 及其優缺點,幫助 測試工程師正確選擇最佳的 測試方法 ......
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日期:2024-04-21
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数 ......
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日期:2024-04-17
金屬-氧化層 半導體場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效 ......
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日期:2024-04-23
,金屬-氧化層-半導體-場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數位電路的場效 ......
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日期:2024-04-24
日本瑞薩(Renesas)6月後將停止PC低電壓金氧半場效電晶體(Low Voltage MOSFET)出貨,由於PC生產鏈進入備貨旺季,包括大中 (6435) 、尼克森 (3317) 、富鼎 (82...
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日期:2024-04-23
因本實驗之端電壓不高,所以選用Power MOSFET 為開關元件;至於PWM 切換頻率(fS)不宜過高,否則損失將增加。 使用TL494,做為PWM 脈波產生電路,RT、CT 分別選用8.2k 及10nF 可使振盪頻率設定在14KHz。TL494第10接腳之PWM 輸出將接至昇壓 ......