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![NAND 快閃記憶體產業概況 - 台灣工業銀行 Industrial Bank of Taiwan台灣工業銀行 Industrial Bank of Taiwan]()
www.ibt.com.twHynix 自2004 年才正式進入NAND Flash 領域，將原本生產DRAM 的M8 與M9 轉換為生產NAND Flash，加上Hynix 主力產品的1Gb NAND於Q105 價格相對抗跌，價量齊揚下Hynix 在Q205 超越日商瑞薩（Renesas ...瀏覽：1063 -
![快閃記憶體 - 维基百科]()
zh.wikipedia.org此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代儲存遊戲資料用 ... 這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃 ..... 設備上的韌體也可以預先存放於序列式介面快閃記憶體中，在設備開機後，將其複製到SDRAM或SRAM裡。瀏覽：321
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日期：2025-04-23
在儲存設備上，DVD媒體已經開始邁入HD、BlueRay這兩種超大容量（單 ... 最近全球最大的NAND供應商韓國三星宣稱開發出達32G的NAND快閃記憶體硬 ......
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日期：2025-04-24
首頁◇新聞◇人民幣◇台股◇美股◇新VIP◇VIP◇書城◇選股◇MyDJ◇ETF◇iQuote◇報稅◇ ... MoneyDJ理財網 · 財經知識庫 · 財經百科首頁; 搜尋主題-大華 ......
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日期：2025-04-26
In digital electronics, a NAND gate (Negated AND or NOT AND) is a logic gate which produces an output that is false only if all its inputs are true; thus its output is complement to that of the AND gate. A LOW (0) output results only if both the inputs to...
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日期：2025-04-27
NAND may stand for: Logical NAND ("Not AND"), a binary operation in logic NAND gate, an electronic gate that implements a logical NAND NAND logic, methods of building other logic gates using just NAND gates NAND flash memory, a type of non-volatile comput...
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日期：2025-04-28
SLC, MLC, TLC, and serial NAND Flash memory for mobile, embedded, and enterprise storage applications—range of densities, voltages, configurations. ... Overview Benefits Densities Configurations Supply Voltages SLC NAND Up to 100,000 P/E cycle endurance...
![[轉貼]Nand 與 Nor flash @ Kelvin的Blog記事本 :: 痞客邦 PIXNET ::](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_18.jpeg)
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日期：2025-04-25
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝 ......
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日期：2025-04-27
在今年4月間的時候，Intel曾經宣佈將與美光 (Micron)針對NAND Flash產品合資一家IM Flash Technologies公司，同時將以20nm製程技術進行生產，目前也正式宣佈旗下首款20nm製作的64GB NAND Flash已經準備量產，同時在明年上半年度將進行128GB...
Intel® Solid-State Drives (Intel® SSD) - Intel: Tablet, 2in1, Laptop, Desktop, Smartphone, Server, E
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日期：2025-04-28
Intel® Solid-State Drives offer a reliable alternative to traditional hard drives with breakthrough storage performance. ... Product Name Capacity (GB) Sequential Read/Write (up to MB/s) Random 4KB Read/Write (up to IOPS) Form Factor Interface Data Center...
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