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日期:2025-06-17
2007年7月30日 - 請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?是這樣 ... [問題求助] 電阻layout時的溫度係數關係 ... Silicided poly...silicon targe poly...
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日期:2025-06-23
nwell电阻和poly电阻的温度系数不一样有时候在电路设计时需要有一定 ... foundry给的poly电阻温度系数都比较小,TC1在1E-4量级,nwell电阻 ......
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日期:2025-06-24
2009年6月16日 - 一般的,poly,n+,p+,nwell,等等都是正温度系数。 ... 掺杂,高温——晶格振动加剧, 载流子散射加剧——迁移率下降——电阻升高——正温度系数,...
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日期:2025-06-22
poly跟diffusion做的電阻差別是? 差別在於片電阻的大小。 poly約是數10歐姆,diffusion約是數百。在layout時,佔的面積就差很大了。 此外,它們的電壓/溫度係數都 ......
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日期:2025-06-18
2011年12月19日 - 尤其对于轻搀杂的Poly 电阻. 各种不同的Poly 电阻温度系数不同,轻搀杂的poly 电阻会出现负温度系数,而重搀杂的poly 电阻则肯定为正温度系数....
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日期:2025-06-18
2012年11月2日 - 尤其对于轻搀杂的Poly 电阻. 各种不同的Poly 电阻温度系数不同,轻搀杂的poly 电阻会出现负温度系数,而重搀杂的poly 电阻则肯定为正温度系数....
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日期:2025-06-23
2008年9月22日 - Non-Silicide N+ Poly resistor的温度系数TC1=-1.35E-3. 电阻和掺杂类型,掺杂浓度和材料有关: 比如说Si和多晶硅材料肯定不同. 记得以前学半导体 ......