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日期:2025-05-06
2. 介紹了二控三型晶閘管投切電容器的基本原理和投切要求,為了減小投切時的湧流和過電壓,對二控三型觸發電路的特點和投切過程進行了研究,分析了投切過程中晶閘管和電容的電壓波形,對各種情況 ......
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日期:2025-05-08
晶體閘流管(英语:Thyristor),簡稱晶闸管,指的是具有四層交錯P、N層的半導體
裝置。最早出現與主要的一種是矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR),
中國 ......
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日期:2025-05-05
An SCR can be seen as a conventional rectifier controlled by a gate signal; It is a
4-layered 3-terminal device ... 由基本原理說明可知 V=20m ×150+0.7=3.7V。...
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日期:2025-05-11
晶闸管器件基本原理. 可控硅亦称晶闸管(Thyristor ),是一种四层PNPN 结构器件。
它在任何方向上至少有一个反向偏置的PN 结,因此它能在任一方向上阻断电流。...
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日期:2025-05-05
单极型器件 ( MOSFET、SIT等); 双极型器件 ( SCR、GTO、GTR等); 复合型器件 (
IGBT等). 器件原理. February 14, 2000. 1-7. 电力电子器件的基本特点. 双极型器件....
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日期:2025-05-04
三線式閘流體或稱矽控制型整流子(silicon controlled rectifier,SCR),三線式閘
流體或SCR 的電路符號如圖3-5 所示。 .... 圖3-39 所示為截波電路的基本原理。...
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日期:2025-05-04
雖然被稱為二極體,但是構造、動作原理都與接合型電場效應電晶體相似。 變容二極
體(Variable Capacitance Diode、Varactor Diode). 施加逆向電壓的場合,二極 ......
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日期:2025-05-06
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