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互補式金屬氧化物半導體- 维基百科，自由的百科全书
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日期：2025-06-22
所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate electrode）是由一層金屬覆蓋在一層絕緣體材料（如二氧化矽）所形成，工作時透過電場將通道 ......看更多
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