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利用I-line雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體（FinFET）
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日期：2024-05-20
些問題，元件採用鰭式場效電晶體之三閘極（Tri-gate）. 結構已被提出，並證明能利用
增加閘極的控制能力來抑. 制短通道效應[1]。 根據摩爾定律（Moore's Law）[2]，為了
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