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半導體光譜實驗室(C02-516-1) - 國立高雄大學應用物理學系
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日期:2024-05-15
氧化鋅(ZnO)是目前已知的II-VI族半導體材料中在室溫中擁有寬能隙(3.37 eV)和相當
大的激子束縛能(60 meV),在做為應用 ......看更多