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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - Semicondutor Magazine
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日期：2025-11-10
高介電材料電晶體將益增複雜的金屬閘極整合架構，以及嶄新的低溫沉積技術如原子層沉積(ALD)帶入半導體業界。 在高介電/金屬閘極(high-k/metal gate，HKMG)技術成為高性能和低待機功率邏輯元件的主流之際，對其整合架構的急速進展進行檢討，有所助益；該 ......看更多
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