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在MgO 緩衝層以射頻濺鍍法製備 La Ga SiO
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日期:2024-05-26
會因其相轉換 溫度為573 C 而限制其製程 溫度,而LGS 具 有在1470 C 的 熔點溫度前沒有相變化的特性 [7] ... 退 ......看更多