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奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的 ... - 國立宜蘭大學
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日期：2025-05-20
半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（MOSFET），並且探討其臨界電壓與摻雜
濃度之間的關係是. 否依舊能 .... 我們將嘗試著分析以上兩個臨界電壓公式，試圖找....看更多
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