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奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II)
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日期：2025-05-26
奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志 家奈米元件實驗室 研究員 極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極 目前先進的250和180奈米CMOS電路技術，多以雙多晶(dual-poly)閘極取代傳統的單多晶(single-poly)閘極方式，主要是為了PMOS元件短通道 ......看更多
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