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奈米通訊。第五卷第二期 12.深次微米閘極技術之發展與未來趨勢(I)

奈米通訊。第五卷第二期 12.深次微米閘極技術之發展與未來趨勢(I)

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日期：2025-06-02
多晶矽鍺閘極技術 矽鍺(SiGe)薄膜沉積是近年來非常重要的一項新興技術。由於矽和鍺的晶格常數相差約4%，所以要將矽鍺薄膜磊晶成長(epitaxy)在矽基板上不是一件容易的事，早期由於製程溫度太高(>900 )，易引發矽鍺薄膜中的形變能量 ......看更多

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