導入H型橋式拓撲架構 1,700V IGBT提升轉換效能 - 學技術 - 新電子科技雜誌

導入H型橋式拓撲架構 1,700V IGBT提升轉換效能 - 學技術 - 新電子科技雜誌

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日期:2025-05-23
絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)模組可望大幅提升比價比。因應市場愈來愈激烈的價格競爭,IGBT模組開發商研發出採用H型橋式拓撲電路架構的新一代1,700V解決方 案,不僅體積較市面上既有產品更加小巧,且轉換效率和耐用性也相對...看更多