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成大研發快訊 - 文摘
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日期：2024-05-14
由圖三GIXRD光譜分析可知堆疊 結構的非晶矽隨著退火溫度的增加，開始產生不同方向的多晶結晶矽如：Si(111)、Si(220)及Si(331)，並與中間層的碳膜反應，在900 ......看更多
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