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摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 - 國家奈米元件實驗室
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日期：2025-10-30
在新穎次世代記憶體元件中，電阻式記憶體（Resistance Random Access Memory : RRAM）因具有操作速度快、結構簡單、非揮發性、低功耗與可靠度佳等優點，使其....看更多
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