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                                摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 - 國家奈米元件實驗室
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                                            日期:2025-10-30
                                        在新穎次世代記憶體元件中,電阻式記憶體(Resistance Random Access Memory : RRAM)因具有操作速度快、結構簡單、非揮發性、低功耗與可靠度佳等優點,使其....看更多
                                    
 
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                    





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