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材料世界網:IGZO材料、元件特性及其基本原理(一)
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日期：2024-05-27
細野研究團隊 (1) 在2003年發表了以InGaO 3 (ZnO) 5 單晶薄膜為通道層(Channel Layer)的透明場效電晶體(Field Effect transistor；FET)，其材料結構及工作表現分別如圖一與圖二所示。這種電晶體的門檻電壓(V th)約為3V，電流開關比(I on /I off)約為10 6，場效遷移率 ......看更多
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