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利用原子層沉積法成長二氧化鈦電洞阻擋層之 ... - 國立清華大學

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日期：2025-04-25
元件中選用以ALD成長的TiO2緻密薄膜作為電洞阻擋層，結果顯示TiO2薄膜能夠在正偏與負偏壓下有效抑制 ......看更多

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