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以3d過渡金屬摻雜氧化物之稀磁性半導體研究
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日期:2024-05-12
ZnO是具有直接能隙的半導體(Eg=3.35eV),其室溫下的霍爾移動率(Hall mobility)
約為200 cm2V-1s-1。結構是屬於六方晶 ......看更多