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氮化銦的異常霍爾效應__臺灣博碩士論文知識加值系統
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日期：2025-09-29
在低溫高磁場的環境下量測III - V 族半導體氮化銦(InN) 的電性，成長方式是用分子束
磊晶系統(Molecular Beam Epitaxy, MBE)，以四點量測通過固定電流在為外加 ......看更多
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