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日期：2025-06-23
3.1 稽納二極體(Zener diode) 特性說明：以特殊Dopping技術降低Diode的崩潰電壓(1.8～200V)，利用其於崩潰區內逆向電流改變，但電壓不變的特性，作電壓調整之用。 理想特性曲線 0 ～ IZK：電壓變化很大(不穩定) 。 IZK ～ IZM：電壓維持定值。...看更多

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