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突破FinFET/FD-SOI瓶頸 DDC技術讓SoC更省電 - 學技術 - 新電子科技雜誌
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日期：2024-05-21
為解決28奈米IC漏電流問題，產業界已開始採用全耗盡型(Fully Depleted)電晶體進行IC設計，如鰭式電晶體(FinFET)、全耗盡型絕緣層覆矽(FD-SOI)，以及深度耗盡通道(DDC)等。其中，DDC技術可克服FinFET與FD-SOI成本與技術挑戰，尤其適合低...看更多
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