金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

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日期:2025-06-22
當一個電壓施加在MOS電容的兩端時,半導體的電荷分佈也會跟着改變。考慮一個p 型的半導體(電洞濃度為NA)形成的MOS電容,當一個正的電壓VGB施加在閘極與 ......看更多