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2.3 P 型氮化鎵材料之半導體製程 - 國立中央大學
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日期：2025-11-15
可得到特徵接觸電阻值約為2.3×10-4 Ω-cm2，持續加熱至60 分鐘仍可. 維持特徵 .....
由於半導體元件尺寸都相當小(大約以微米(µm)為單位)，相當於空. 氣中及水中 ......看更多
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