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三星/東芝/美光競相投產 3D NAND Flash時代正式來臨 - 懂市場 - 新電子科技雜誌
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日期：2026-04-23
三星搶先投入量產 3D NAND大戰開打 三星電子快閃記憶體產品與技術副總裁Jeong-Hyuk Choi表示，新發表的3D V-NAND快閃記憶體係該公司員工戮力克服半導體技術限制後的成果。在量產全球首款3D V-NAND快閃記憶體後，三星將持續推出更高效能及高密度的 ......看更多
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