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6.1-3 可程式ROM
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日期:2024-05-11
商用的EPROM是使用一種浮接閘極累增注入式金氧半導體(floating gate ... 基本
原理是規劃燒錄時 (圖6-6 ),在FAMOS的G2端加以高電壓Vpp (12V~25V脈波),若
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