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CTIMES- 600V CoolMOS P6 –「多用途」裝置的新基準 :
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日期：2025-11-15
... 極電容，模擬閘極和漏極與 PCB 之間耦合的寄生電容。設計人員在佈線時應特別注意，盡量減少此類的寄生電容，才能確保 MOSFET 的最高效能。在此一測量中，190m? 裝置採用 5? 的外部 R G ......看更多
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