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MOCVD 沉積AZO 透明導電膜於N-Si 基板上之特性 ... - 中華科技大學
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日期:2025-06-03
本研究目的開發高品質AZO透明導電膜製程,搭配使用. Zn[TMHD]2及Al[TMHD]3為
先驅物,並以氧氣為反應氣體及氬氣為載流氣體在. N-Si(100)基板上沉積氧化鋅 ......看更多