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National Tsing Hua University Institutional Repository:以網版印刷及化學蝕刻方式製作具有局部背表面場之多晶矽太陽能電池
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日期：2025-05-27
... 的機台PECVD沉積氮化矽薄膜沉積厚度分別為130 nm、140 nm、150 nm以及國立 中央大學微光電實驗室 ......看更多
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