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Scientists construct the first germanium-tin semiconductor laser for silicon chips
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日期：2026-04-20
Schematic structure of the germanium-tin (GeSn) laser, applied directly onto the silicon wafer (blue) by using an intermediate layer of pure germanium (orange). Credit: Forschungszentrum Jülich Scientists from Forschungszentrum Jülich and the Paul Scherre...看更多
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