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Theory Fermi Level Pinning Dielectrics

Theory Fermi Level Pinning Dielectrics

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日期：2026-04-20
fundamental relaxation of Fermi-level pinning in high-k gate dielectric. Keywords-component; Fermi-level pinning; poly-Si gates; metal silicidegates; 0vacancy; 0interstitial; high-kdielectrics; interface dipoles; theory;flatbandvoltageshift I. INTRODUCTIO...看更多

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