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取代舊式功率元件 特定應用MOSFET效率更高 - 學技術 - 新電子科技雜誌
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日期：2024-06-05
圖3則顯示採用Ultra FRFET時，相較於標準的UniFET II MOSFET，約可減少75%的導通損耗；同時也減少導通延遲時間、電流和電壓振鈴，並消除串聯蕭特基二極體的傳導損耗。不僅如此，UniFET II還降低COSS，優化開關效率。...看更多
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