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義 守 大 學
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日期：2024-10-30
摻雜以何種方式為最佳，最後加上一層電洞阻擋層來提升元件效率。 電洞注入材料為m-MTDATA，電洞阻擋層為Bphen，當F4-TCNQ 摻 雜濃度為1%，摻雜區域位於電洞注入層中間，電洞阻擋層厚度為12.5A、時，元件特性最佳。元件結構如下: ITO/m-MTDATA、 ......看更多
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