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www.rohm.com.tw定義：若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗，因而造成元件發熱時，接合面(junction) ... 計算方法：將施加Px的電力時所造成的溫度上升作為△ Tx，由此可得 ...瀏覽：759 -
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日期：2024-05-26
警告：版權所有，請勿隨意翻版使用。 原文與圖片請參照： Modern VLSI Design, Wenny Woof. 第二章 電晶體與佈局（layout） 2.1 簡介 我們在這一章將藉由學習電晶體和佈線的結構以及它們如何被製造的基礎知識，來開始學習 VLSI設計。...
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日期：2024-05-23
構造 [編輯] 這種電晶體結合了金屬氧化物半導體場效應電晶體（ MOSFET ）的高電流單柵控制特性及雙極性電晶體的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件裡，會透過把一個隔離的場效應電晶體（FET）結合，作為其控制輸入，並以雙極性電晶體作開關。...
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日期：2024-05-20
宏捷科技股份有限公司創立於1998年四月,位於台灣台南科學工業園區。1999年七月，發表第一片砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAs HBT)，並已於2009年六月一日掛牌上櫃。 目前廠房Class 100無塵室的產能為每週 2,000片6吋晶片， 我們計畫在現有廠房擴充設備，每 ......
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日期：2024-05-26
在過去，由於LED元件的使用多以顯示用途為主，對於高散熱需求並不高，所以搭載LED用的基板多使用諸如FR-4之類樹脂系的基板。2000年以後，LED邁向高輝度、高效率化發展，特別是藍光LED元件更是有了長足的進步，而使得LED的需求漸從手機光源、液晶面板 ......
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矽電晶體會老化及失效。 高功率，高頻的應用中（例如電視廣播），因真空管中的真空
有助提昇電子移動率，效果會比電晶體 ......
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日期：2024-05-23
2.1.1 TTL各系列典型消耗功率與傳輸延遲的比較 ... TTL最主要是由N組電阻、電晶體
、二極體構成的偏壓電路所組合出來，在線性放大器的 ... 除了電阻器一樣是做控流跟
偏壓用途，蕭特基型最主要是採用蕭特基二極體跟蕭特基電晶體，改善切換速度。...
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日期：2024-05-20
2013年8月19日 ... 通常提到電晶體的時候指得是雙極電晶體（bipolar .... 第二排最左邊的是一般用途
交換放大PNP高功率電晶體（switching-amplification PNP power transistor），消耗
功率達50瓦特。第二排最 ......
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